HledejSoučástky.cz


Nalezených součástek: 42       Optimalizace nákupu
Součástka:
Řadit:
Obrázek Název Cena
s DPH
Sklad Obchod Sklad.č. Detail dostupnost Slevy
Optimalizace:
Popis
MOSFET (HEXFET/FETKY) Vishay IRF610 1,5 Ω, 3,3 A TO 220 12,00 Kč Skladem Puhy c_162414
Centrální sklad 162
1 ks 12,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF610Způsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 1.5 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2 AC(ISS): 140 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 8.2 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 36 W
IRF610 PBF 12,00 Kč Skladem PSE 1111-002
1 ks 12,00 Kč
N-FET 200V 3.3A 36W TO220AB
IRF620 PBF 15,00 Kč Skladem PSE 1104-1375
1 ks 15,00 Kč
N-FET 200V 5,2A 50W 0,80R TO220AB, Bez obsahu olova
IRF630 N MOSFET 200V/9A 75W 0,4Ohm TO220 15,94 Kč Skladem Puhy h_c927
Centrální sklad 50
1 ks 15,94 Kč
Načteno
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF640N 0,15 Ω, 18 A TO 220 16,00 Kč Skladem Puhy c_162424
Centrální sklad 432
1 ks 16,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF640NPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 150 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 18 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 11 AC(ISS): 1160 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 67 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 150 W
Mosfet N-FET tranzistor IRF630 17,90 Kč Skladem GES 04913429
MOS-N-FET 200V/ 9A/ 75W rds=0,35Ohm TO220 G D S D 17p
IRF630N PBF 18,00 Kč Skladem PSE 1104-1381
1 ks 18,00 Kč
N-FET 200V 9,3A 82W 0,3R TO220AB, Bez obsahu olova.
Mosfet N-FET tranzistor IRF640N 18,90 Kč Skladem GES 04913146
MOS-N-FET 200V/ 18A/ 125W/ rds=0,15Ohm. TO220 G D S D 17p
Unipolární tranzistor IRF640NPBF TO220AB 19,00 Kč Skladem GME 213-324
Uds: 200 V, Idss: 18 A, Pd: 150 W, Rds: 0,15 Ohm ...
Unipolární tranzistor IRF620 TO220 19,00 Kč Skladem GME 213-032
Uds: 200 V, Idss: 6 A, Pd: 70 W, Rds: 0,8 Ohm Uni...
IRF630NS PBF 19,00 Kč Skladem PSE 1104-1382
1 ks 19,00 Kč
N-FET 200V 9,3A 82W 0,3R D2PAK, Bez obsahu olova.
Unipolární tranzistor IRF630 TO220 20,00 Kč Skladem GME 213-033
Uds: 200 V, Idss: 9 A, Pd: 75 W, Rds: 0,4 Ohm Uni...
IRF630 PBF 20,00 Kč Skladem PSE 1104-138
1 ks 20,00 Kč
Tranzistor N-MOS 200V 9A 0,25R. TO220, Bez obsahu olova.
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF630N 0,3 Ω, 9,3 A TO 220 21,00 Kč Skladem Puhy c_162421
Centrální sklad 869
1 ks 21,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF630NZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 300 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 9.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.4 AC(ISS): 575 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 35 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 82 W
IRF640 N MOSFET 200V/18A 125W, Rds 0,15ohm 21,01 Kč Skladem Puhy h_c930
Centrální sklad 21
1 ks 21,01 Kč
Načteno
IRF640 N-MOSFET 200V,18A,125W,0.18R TO220 21,01 Kč Skladem Puhy t_01540009
Centrální sklad 100000
1 ks 21,01 Kč
Načteno
IRF640 N-MOSFET 200V,18A,125W,0.18R TO220 N-MOSFET 200V, 18A, 125W, 0.18R TO220
Unipolární tranzistor IRF640 TO220 22,00 Kč Skladem GME 213-035
Uds: 200 V, Idss: 18 A, Pd: 125 W, Rds: 0,18 Ohm ...
Mosfet P-FET tranzistor IRF9630 22,00 Kč Skladem GES 04901731
MOS-P-FET 200V/ 6,5A/ 75W/ rds=0,80Ohm. TO220 G D S D 17p
MOSFET (HEXFET) Vishay IRF620PBF, N kanál, typ pouzdra TO 220, 0,8 Ω, 200 V, 5,2 A 24,00 Kč Skladem Puhy c_162416
Centrální sklad 236
1 ks 24,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF620PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISVýrobce: VishayR(DS)(on): 800 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 5.2 AU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.1 AC(ISS): 260 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 14 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 50 WKategorie produktu: Tranzistor MOSFET
Výkonový spínací tranzistor STMicroelectronics IRF630 0,4 Ω, 200 V, 9 A TO 220 AB 25,00 Kč Skladem Puhy c_155772
Centrální sklad 41
1 ks 25,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): MESH OVERLAY™ IIKanálů: 1Typ (výrobce): IRF630Způsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -65 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): STMVýrobce: STMicroelectronicsR(DS)(on): 400 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 9 AU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.5 AC(ISS): 700 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 45 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 75 WKategorie produktu: Tranzistor MOSFET
Unipolární tranzistor IRF640NS D2PAK 25,00 Kč Skladem GME 915-016
Uds: 200 V, Idss: 18 A, Pd: 150 W, Rds: 0,15 Ohm ...
IRF640 PBF 27,00 Kč Skladem PSE 1104-139
1 ks 27,00 Kč
N-FET 200V 18A 125W 0.18R TO220AB, Bez obsahu olova., Produkt podobný pro: IRF630PBF, BUZ31, BUZ32, IRF640, YTF640
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF610S HEXFET D2PAK 1,5 Ω, 3,3 A D2PAK 40,00 Kč Skladem Puhy c_162415
Centrální sklad 679
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF610SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 1.5 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2 AC(ISS): 140 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 8.2 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF634 0,45 Ω, 8,1 A TO 220 40,00 Kč Skladem Puhy c_162423
Centrální sklad 265
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 250 VSérie (polovodiče): MESH OVERLAY™Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF634Způsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 450 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 8 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4 AC(ISS): 770 pFU(DSS): 250 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 51.8 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 80 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF640NS HEXFET D2PAK 0,15 Ω, 18 A D2PAK 62,00 Kč Skladem Puhy c_162425
Centrální sklad 34
1 ks 62,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF640NSZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 150 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 18 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 11 AC(ISS): 1160 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 67 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 150 W
MOSFET International Rectifier IRF6724MTR1PBF MED CAN IR 65,00 Kč Skladem Puhy c_161267
Centrální sklad 37
1 ks 65,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF6724MTR1PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DirectFET™Provozní teplota (min.): -40 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 2.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 27 A · 150 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 100 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 27 AC(ISS): 4404 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 2.35 VQ(G): 54 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2.8 W
Unipolární tranzistor IRF6215 TO220AB 21,00 Kč Neznama GME 213-304
Uds: 150 V, Idss: 13 A, Pd: 110 W, Rds: 0,29 Ohm ...
Unipolární tranzistor IRF6218PBF TO220AB 67,00 Kč Neznama GME 213-347
Uds: 150 V, Idss: 27 A, Pd: 250 W, Rds: 0,150 Ohm ...
IRF634 PBF 20,00 Kč Nejsou PSE 1104-1385
1 ks 20,00 Kč
N-FET 250V 8.1A 74W 0.45R TO220AB
IRF640N PBF 17,00 Kč Neznama PSE 1104-1391
1 ks 17,00 Kč
N-FET 200V 18A 150W 0,15R TO220AB, Bez obsahu olova., Produkt podobný pro: IRF630PBF, BUZ31, BUZ32, IRF640, YTF640
IRF640NLPBF 33,00 Kč Nejsou PSE 1110-265
1 ks 33,00 Kč
N-MOSFET 200V 18A 150W TO262
IRF640NSPBF 27,00 Kč Nejsou PSE 1111-463
1 ks 27,00 Kč
N-MOSFET 200V 18A 150W D2PAK
IRF644 34,00 Kč Nejsou PSE 1104-140
1 ks 34,00 Kč
N-FET 250V 14A 125W 0,28R TO220AB
IRF6613TR1PBF 103,00 Kč Nejsou PSE 1111-464
1 ks 103,00 Kč
N-MOSFET 40V 23A 89W DirectFET
IRF6614TRPBF 54,00 Kč Nejsou PSE 1111-465
1 ks 54,00 Kč
N-MOSFET 40V 12,7A 42W DirectFET
IRF6616TRPBF 65,00 Kč Nejsou PSE 1111-466
1 ks 65,00 Kč
N-MOSFET 40V 19A 89W DirectFET
IRF6641TR1PBF 99,00 Kč Nejsou PSE 1111-467
1 ks 99,00 Kč
N-MOSFET 200V 4,6A 89W DirectFET
IRF6643TRPBF 97,00 Kč Nejsou PSE 1111-468
1 ks 97,00 Kč
N-MOSFET 150V 6,2A 89W DirectFET
IRF6644TR1PBF 108,00 Kč Nejsou PSE 1111-469
1 ks 108,00 Kč
N-MOSFET 100V 10,3A 89W DirectFET
IRF6645TR1PBF 65,00 Kč Nejsou PSE 1111-470
1 ks 65,00 Kč
N-MOSFET 100V 5,7A 42W DirectFET
IRF6646TR1PBF 111,00 Kč Nejsou PSE 1111-471
1 ks 111,00 Kč
N-MOSFET 80V 12A 89W DirectFET
IRF6648TR1PBF 100,00 Kč Nejsou PSE 1111-472
1 ks 100,00 Kč
N-MOSFET 60V 86A 89W DirectFET
Reklama:

Velký dron s HD kamerou Létejte z pohledu pilota pomocí obrazovky mobilu. Foťte a natáčejte úžasná letecká videa a snímky.