HledejSoučástky.cz


Nalezených součástek: 43       Optimalizace nákupu
Součástka:
Řadit:
Obrázek Název Cena
s DPH
Sklad Obchod Sklad.č. Detail dostupnost Slevy
Optimalizace:
Popis
MMBFJ310 6,10 Kč Skladem PSE 1111-636
1 ks 6,10 Kč
N-MOSFET 25V 10mA 350mW SOT23
Mosfet P-FET tranzistor IRFU9024 14,90 Kč Skladem GES 04913332
MOS-P-FET 60V/ 8,8A/ 42W/ rds=0,28Ohm. TO251(IPak) G D S D 30p
Modul s pasivní sirénkou 15,00 Kč Skladem GME 775-049
Modul s pasivní sirénkou. Pro vybuzení zvuku je potř...
Modul s aktivní sirénkou 15,00 Kč Skladem GME 775-050
Modul s aktivní sirénkou. Po přivedení ovládacího na...
Mosfet P-FET tranzistor IRFU9024N 19,00 Kč Skladem GES 04913310
MOS-P-FET 55V/ 11A/ 38W/ rds=0,175Ohm. TO251(IPak) G D S D 30p
Relé modul 1x 10A/250V s optickým oddělením 45,00 Kč Skladem GME 774-028
Reléový modul s relé pro silové ovládání. Arduino, R...
Mosfet N-FET tranzistor IRFP240 56,00 Kč Skladem GES 04913141
MOS-N-FET 200V/ 20A/ 150W/ rds=0,18Ohm. TO247 G D S D 16p
SUP70N06-14-E3 - doprodej 65,00 Kč Skladem PSE 1111-240
1 ks 65,00 Kč
N-MOSFET 60V 70A 142W 0.014R TO220, Výrobce: VISHAY
Relé modul 1x 10A/250V, duplex, Low trigger 69,00 Kč Skladem GME 775-135
Reléový modul DPDT s dvěma přepínacími kontakty. Sp...
Modul 2x H-můstek s L298N 69,00 Kč Skladem GME 772-334
Modul pro řízení jednoho krokového, nebo 2 DC motorů...
SSR relé modul 2 kanály 2A/250Vac 75,00 Kč Skladem GME 772-278
2 Kanály Rozměry 53 x 32 x 21 mm Výrobce OMRON T...
Relé modul 1x 10A/250V, duplex, High trigger 89,00 Kč Skladem GME 775-116
Reléový modul DPDT s dvěma přepínacími kontakty. Sp...
Mosfet N-FET tranzistor SPP07N60S5 129,00 Kč Skladem GES 04913414
MOS-N-FET SMPS 600V/ 7,3A/ 83W, rds=0,60Ohm. TO220 G D S D 17p
Relé modul 8 kanálů s optickým oddělením 239,00 Kč Skladem GME 772-233
Reléový modul pro silové ovládání a galvanické odděl...
Mosfet N-FET tranzistor 2SK2645 69,00 Kč Nejsou GES 04913064
MOS-N-FET SMPS 600V/ 9A/ 50W/ rds=1,20Ohm. TO220 G D S iso
Mosfet N-FET Fuji tranzistor 2SK2761 69,00 Kč Nejsou GES 04913094
MOS-N-FET SMPS 600V/ 10A/ 50W/ rds=1,0Ohm., TO220 G D S iso
Mosfet P-FET tranzistor IRFP9240 58,00 Kč Nejsou GES 04913142
MOS-P-FET 200V/ 12A/ 150W/ rds=0,50Ohm. TO247 G D S D 16p
Mosfet N-FET tranzistor 2SK3264-01MR 99,00 Kč Nejsou GES 04913411
MOS-N-FET SMPS 800V/ 7A/ 60W/ rds=1,62Ohm. TO220 G D S iso
Mosfet tranzistor MRF150-MP, párovaná dvojice 5,00 Kč Nejsou GES 04913462
MOS-N-FET VF 50V/ 150W/ 17dB/ 150MHz, párovaná dvojice 211-11
MFJ-1020C 3,00 Kč Nejsou GES 08901075
SWL aktivní vnitřní anténa 3-30 MHz
MFJ-1045C VF RX PRESELEKTOR 3,00 Kč Nejsou GES 08901081
Vf preselektor pro přijímač, přeladitelný v rozsahu 1-54 MHz
Mosfet N-FET tranzistor SPP06N80C3 76,00 Kč Nejsou GES 04913321
MOS-N-FET SMPS 800V/ 6A/ 83W, rds=0,90Ohm. TO220 G D S D 17p
Mosfet N-FET tranzistor SPA04N60C3 139,00 Kč Nejsou GES 04913440
MOS-N-FET SMPS 650V/ 4,5A/ 31W, rds=0,95Ohm. TO220 isol. G D S 17c
Mosfet N-FET tranzistor SPP04N80C3 59,00 Kč Nejsou GES 04913452
MOS-N-FET SMPS 800V/ 4A/ 63W, rds=1,30Ohm. TO220 G D S D 17p
Vývojový kit ARDUINO STARTER KIT 3,00 Kč Nejsou GES 08105516
Stavebnice - HiTech elektronická, základní, 15 projektů + příručka ( v Angličtině)
ANALYZÁTOR POLOVODIČOVÝCH SOUČ.. 2892,00 Kč Nejsou PSE 5201-2693
1 ks 2892,00 Kč
ANALYZÁTOR POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK, Vlastnosti:, - automatické rozpoznání typu součástky, - automatické rozpoznání zapojení vývodů, - rozpoznání speciálních vlastností jako např. ochranné diody a rezistorové sítě, - bipolární tranzistory: měření zesilovacího činitele a zbytkového proudu, detekce křemíku a germania, - měření prahového napětí pro Mosfety pracující v obohaceném režimu, - měření napětí polovodičových součástek v propustném směru pro diody, LED diody a přechody báze-emitor tranzistorů, - automatické a manuální vypnutí, Technické údaje:, - špičkový zkratový měřící proud: - 5,5mA ~ 5,5 mA, - špičkové měřicí napětí na otevřeném obvodu: -5,1V ~ 5.1V, TRANZISTORY:, - rozsah zesilovacího činitele (Hfe): 4 ~ 65000, - přesnost určení zesilovacího činitele: ± 3% ± 5 Hfe, - měřicí napětí VCE0: 2.0V ~ 3.0V, - přesnost VBE: -2%-20mV ~ +2% 20 mV, - VBE pro Darlingtony (svodové): 0.95V ~ 1.80V (0.75V ~ 1.80V), - práh svodového odporu báze-emitor: 50kOhm ~ 70kOhm, - měřicí proud kolektoru dvoupřechodového tranzistoru: 2,45 mA ~ 2,55 mA, - přijatelný zbytkový proud dvoupřechodového tranzistoru : 0,7 mA, MOSFETY:, - rozsah prahového napětí na gatu: 0.1V ~ 5.0V, - přesnost prahového napětí: -2%-20mV ~ +2% +20 mV, - měřicí napětí na drainu: 2,45 mA ~ 255mA, - odpor na gatu: 8kOhm, - měřicí proud na drainu: 4,5 mA, - měřicí proud na drain-source JFET: 0,5 mA ~ 5,5 mA, SCR / TRIAKY:, - měřicí proud na gatu: 4,5 mA, - měřicí proud zátěže: 5,0 mA, DIODY:, - měřicí proud: 5,0 mA, - přesnost napětí: -2%-20mV ~ +2% +20 mV, - Vf pro rozpoznání LED diody: 1.50V ~ 4.00V, - práh zkratu: 10 Ohm, BATERIE:, - typ: MN21 / L1028 / GP23A 12V alkalická, - rozsah napětí: 7.50V ~ 12V, - práh varování: 8.25V, Rozměry: 103x70x20mm
ANALYZÁTOR POLOVODIČOVÝCH SOUČ.. 6505,00 Kč Nejsou PSE 5201-2697
1 ks 6505,00 Kč
ADVANCED SEMICONDUCTOR ANALYZER with Curve Tracing, The DCA Pro has an advanced new design that features a graphics display, USB communications, PC software and an enhanced component identification library., Features, stand-alone or with a PC, automatic component type identification, automatic pinout identification, special feature identification such as protection diodes and resistor shunts, bipolar transistors: gain and leakage current measurements, silicon and germanium detection, gate threshold measurement for Enhancement Mode MOSFETs, semiconductor forward voltage measurement for diodes, LEDs and, transistor Base-Emitter junctions, automatic and manual power-off, Specifications, Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified, peak test current into short circuit: -5.5 mA to 5.5 mA, peak test voltage across open circuit: -5.1 V to 5.1 V, transistor:, gain range (Hfe): 4 - 65 000, gain accuracy: ± 3% ± 5 Hfe, Vceo test voltage: 2.0 V - 3.0 V, Vbe accuracy: -2% -20 mV to +2% + 20 mV, VBE for Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V), base-emitter shunt threshold: 50 k&Omega, - 70 k&Omega,, BJT collector test current: 2.45 mA - 2.55 mA, BJT acceptable leakage: 0.7 mA, MOSFET:, gate threshold range: 0.1 V - 5.0 V, threshold accuracy: -2% -20 mV to +2% +20 mV, drain test current: 2.45 mA - 255 mA, gate resistance: 8 k&Omega,, depletion drain test current: 4.5 mA, JFET drain-source test current: 0.5 mA - 5.5 mA, SCR/Triac:, gate test current: 4.5 mA, load test current: 5.0 mA, diode:, test current: 5.0 mA, voltage accuracy: -2% -20 mV to +2% +20 mV, Vf for LED identification: 1.50 V - 4.00 V, short circuit threshold: 10 &Omega,, battery:, type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline, voltage range: 7.50 V - 12 V, warning threshold: 8.25 V, dimensions: 103 x 70 x 20 mm, Weight per product (nett): 0.098kg, operating temperature range: 10°C ... 40°C
FQP27P06 62,00 Kč Nejsou PSE 1107-3246
1 ks 62,00 Kč
P-FET 60V, 27A, Rds 70mOhm, TO220, Typ tranzistoru: P-MOSFET, Polarizace: unipolární, Napětí drain-source: -60V, Proud drainu: -27A, Pouzdro: TO220, Napětí gate-source: ±25V, Odpor v sepnutém stavu: 70mOhm, Náboj hradla: 43nC, Technologie: QFET
FQP46N15 57,00 Kč Nejsou PSE 1107-3247
1 ks 57,00 Kč
N-MOSFET, unipolární, 150V, 32,2A, 210W, TO220AB, Typ tranzistoru: N-MOSFET, Technologie: QFET, Polarizace: unipolární, Napětí drain-source: 150V, Proud drainu: 32.2A, Ztrátový výkon: 210W, Pouzdro: TO220AB, Napětí gate-source: ±25V, Odpor v sepnutém stavu: 42mohm, Náboj hradla: 110nC
IR2125 PBF 79,00 Kč Nejsou PSE 1120-918
1 ks 79,00 Kč
Jednokanálový driver MOSFET/IGBT 500V s proudovým omezením DIP8
IR2181SPBF 99,00 Kč Nejsou PSE 1120-9293
1 ks 99,00 Kč
Driver, integrated bootstrap functionality,nábojová pumpa, Výrobce: Infineon (IRF), Typ integrovaného obvodu: driver, Druh integrovaného obvodu: budič hradel, high-/low-side, Výstupní proud: -2.3...1.9A, Výkon: 625mW, Počet kanálů: 2, Montáž: SMD, Napájecí napětí: 10...20V DC, Pracovní teplota: -40...125°C, Pouzdro: SO8, Topologie: polomůstek MOSFET, Napěťová třída: 600V, Doba přítahu: 180ns, Doba odpadu: 220ns, Ochrana podpěťová, Vlastnosti:, - integrated bootstrap functionality, - nábojová pumpa
IRFIZ34NPBF 27,00 Kč Nejsou PSE 1110-374
1 ks 27,00 Kč
N-MOSFET 55V 19A 31W TO220 Full Pack, Jiné značení: IRFIZ34G
IRLR8729PBF - již nebude 15,00 Kč Nejsou PSE 1111-605
1 ks 15,00 Kč
N-MOSFET 30V 58A 55W DPAK, logic level
K8068 STMÍVAČ PRO ELEKTRONICKÉ.. 595,00 Kč Nejsou PSE 5503-155
1 ks 595,00 Kč
Stavebnice., Zásuvný modul pro domácí světelný systém K8006., Vhodné pro stmívání standardních žárovek i nízkovoltových halgenových žárovek s použitím vhodného trafa., Zapojení bez tlumivek a filtrů na bázi fázové regulace s MOSFET tranzistorem., Soft-start prodlužuje životnost žárovek a permanentní paměť zaručuje, že při každém zapnutí je nastavená svítivost jako při posledním vypnutí., Provozní napětí : 110-125V nebo 220-240V AC (50/60Hz), Maximální zátěž : 300W/230V nebo 150W/115V, 0-98%, Nastavení rychlosti stmívacího cyklu : +/- 5 sec, Rozměry : 65 x 57 x 20mm
MK180 2-KANÁLOVÝ VÝKONNÝ LED B.. 424,00 Kč Nejsou PSE 5503-363
1 ks 424,00 Kč
2 KANÁLOVÝ HI-POWER LEDKOVÝ BLIKAČ, (stavebnice), Jednotku lze použít s jakýmikoli LED diodami: nízkonapěťovými, vysokonapěťovými, LED páskami, klastry, atd., Vlastnosti:, - dva kanály, - 7 blikacích efektů, - nastavitelná rychlost blikání, - vyměnitelné LED diody na DPS, - vysoce výkonné MOSFET výstupy: (3A/kanál), - v paměti poslední vybraný efekt, - v dodávce bílé LED diody 20.000mcd, - výběr jedním tlačítkem, Použití:, - zabezpečovací systémy, blikač signalizující nebezpečí, upoutávač pozornosti, disco efekty, atd., Technické údaje:, - napájecí napětí: 12V, - výstupy: 3A/kanál max., - rozměry: základní deska:, délka x šířka: 65x33mm, výška: 20 mm, LED diodová deska:, délka x šířka: 18x33mm, výška: 12 mm
NTD20N06LT4G 23,00 Kč Nejsou PSE 1111-632
1 ks 23,00 Kč
N-MOSFET 60V 20A 60W 0.039 Ohm DPAK, Typ tranzistoru: N-MOSFET, Polarizace: unipolární, Napětí drain-source: 60V, Proud drainu: 20A, Výkon: 60W, Pouzdro: DPAK, Napětí gate-source: ±15V, Odpor v sepnutém stavu: 0.039 Ohm, Montáž: SMD, Náboj hradla: 32nC, Výrobce: ON SEMICONDUCTOR
RELÉ PVDZ172NPBF 208,00 Kč Nejsou PSE 5102-2418
1 ks 208,00 Kč
Solid state relé - SSR, Typ relé: polovodičové, Konfigurace kontaktů: SPST-NO (1x spínací kontakt), Vstupní proud: 5...25mA, Max. pracovní proud: 1.5A, Spínané napětí: 0...60V DC, Verze relé: MOSFET, Odpor v sepnutém stavu: 250mOhm, Montáž: do plošného spoje, Pouzdro: DIP8 (osazené 4 vývody), Pracovní teplota: -40...85°C, Doba sepnutí: 2ms, Doba rozepnutí: 0.5ms
RELÉ PVG612 129,00 Kč Nejsou PSE 5102-2417
1 ks 129,00 Kč
Solid state relé - SSR, Typ relé: polovodičové, Konfigurace kontaktů: SPST-NO (1x spínací kontakt), Vstupní proud: 5...25mA, Max. pracovní proud: 2.4A, Spínané napětí: -60...60V DC, 0...60V AC, Verze relé: MOSFET, Odpor v sepnutém stavu: 150mOhm, Montáž: do plošného spoje, Pouzdro: DIP6, Pracovní teplota: -40...85°C, Doba sepnutí: 2ms, Doba rozepnutí: 0.5ms
RELÉ PVN012 142,00 Kč Nejsou PSE 5102-2413
1 ks 142,00 Kč
Solid state relé - SSR, Typ relé: polovodičové, Konfigurace kontaktů: SPST-NO (1x spínací kontakt), Vstupní proud: 3...25mA, Max. pracovní proud: 3A, Spínané napětí: -20...20V DC, 0...20V AC, Verze relé: MOSFET, Odpor v sepnutém stavu: 40mOhm, Montáž: do plošného spoje, Pouzdro: DIP6, Pracovní teplota: -40...85°C, Doba sepnutí: 5ms, Doba rozepnutí: 0.5ms
RELÉ PVT322PBF 140,00 Kč Nejsou PSE 5102-2412
1 ks 140,00 Kč
Solid state relé - SSR, Typ relé: polovodičové, Konfigurace kontaktů: DPST-NO (2x spínací kontakt), Vstupní proud: 2...25mA, Max. pracovní proud: 500mA, Spínané napětí: 0...250V DC, 0...250V AC, Verze relé: MOSFET, Odpor v sepnutém stavu: 10 ohm, Montáž: vývody do plošného spoje, Pouzdro: DIP8, Pracovní teplota: -40...85°C, Doba sepnutí: 3ms, Doba rozepnutí: 0.5ms
RELÉ PVT422PBF 127,00 Kč Nejsou PSE 5102-2409
1 ks 127,00 Kč
Solid state relé - SSR, Typ relé: polovodičové, Konfigurace kontaktů: DPST-NO (2x spínací kontakt), Vstupní proud: 2...25mA, Max. pracovní proud: 350mA, Spínané napětí: 0...400V DC, 0...400V AC, Verze relé: MOSFET, Odpor v sepnutém stavu: 35 ohm, Montáž: do plošného spoje, Pouzdro: DIP8, Pracovní teplota: -40...85°C, Doba sepnutí: 2ms, Doba rozepnutí: 0.5ms
TC427CPA 34,00 Kč Nejsou PSE 1122-6556
1 ks 34,00 Kč
MOSFET driver 18V 1,5A DIP8, Výstupní proud: 1.5A, Počet kanálů: 2, Výstup: neinvertující, Pouzdro: DIP8, Pracovní teplota: 0...70°C, Pracovní napětí: 4.5...18V, Doba náběhu impulsu: 25ns, Čas poklesu impulsu: 17ns
TC4426ACPA 51,00 Kč Nejsou PSE 1125-3681
1 ks 51,00 Kč
Integrovaný obvod: driver MOSFET/IGBT, 1,5A, Kanály:2, invertující, DIP8, Výstupní proud: 1.5A, Počet kanálů: 2, Výstup: invertující, Pouzdro: DIP8, Pracovní teplota: -40...125°C, Pracovní napětí: 4.5...18V, Doba náběhu impulsu: 25ns, Čas poklesu impulsu: 25ns
Reklama:

Velký dron s HD kamerou Létejte z pohledu pilota pomocí obrazovky mobilu. Foťte a natáčejte úžasná letecká videa a snímky.